| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成光电二极管；在光电二极管上形成滤色层；在滤色层上形成平面层；在平面层上形成第一微透镜；以及在第一微透镜上形成第二微透镜。 | ||
| 申请公布号 | CN100499078C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200610170108.0 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 郑星熙 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1. 一种制造CMOS图像传感器的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成光电二极管；在所述光电二极管上形成滤色层；在所述滤色层上形成平面层；在所述平面层上形成第一微透镜；通过在所述第一微透镜上涂覆一种材料，而在所述第一微透镜上直接形成第二微透镜，所述材料为所述微透镜的原料；以及在形成所述第二微透镜之后照射紫外线，其中，形成第一微透镜的步骤包括形成微透镜图案并执行氩溅射工艺的步骤，所述微透镜图案具有梯形的剖面形状。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||