发明名称 用于测量布置在基底上的薄膜的特征的方法和系统
摘要 本发明涉及提供一种方法和系统,以测量设置在一基底上的薄膜的特征。该方法包括识别在薄膜上的多个处理区域;测量多个处理区域的一子部分的特征,形成测量的特征;确定测量的特征中的一个的变化;以及根据测量的特征中的一个与子部分的其余处理区域相关的测量的特征的比较,设想变化的原因。该系统实现上述方法。
申请公布号 CN100498209C 申请公布日期 2009.06.10
申请号 CN200580004823.0 申请日期 2005.02.14
申请人 分子制模股份有限公司 发明人 I·M·麦克曼肯;P·D·苏马克;崔炳镇;S·V·斯里尼瓦桑;M·P·C·瓦茨
分类号 G01B11/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G01B11/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 刘 佳
主权项 1. 一种测量设置在一基底上的薄膜的特征的方法,所述特征包括薄膜厚度、图案质量、图案对齐和图案临界尺寸改变,所述方法包括:识别在所述薄膜上的多个处理区域;测量所述多个处理区域的一子部分的特征,形成测量的特征;确定在所述测量的特征中的异常,所述异常包括缺陷、对齐误差和临界尺寸变化;以及根据在所述测量的特征中的所述异常与在所述处理区域其余的特征的比较,设想所述异常的原因,所述原因包括压印头缺陷,支承堆缺陷,模板缺陷和基底缺陷,其中,测量还包括获得在所述多个处理区域的一个中的预定数量的测量,以及将所述预定数量的测量量子化和获得一平均值,而确定所述变化还包括将所述平均值与一预定的阀值比较。
地址 美国得克萨斯州