发明名称 |
去除受损电介质材料的方法 |
摘要 |
本发明描述了一种在蚀刻工艺、灰化工艺或湿法清洁工艺后去除受损的电介质材料的方法。在形成特征之后,进行干法非等离子体去除工艺以去除特征上的受损材料的薄层。干法非等离子体去除工艺包括:化学处理受损材料,然后对经化学处理的表面层进行热处理。化学处理和热处理这两个步骤可以重复进行。 |
申请公布号 |
CN101454876A |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200780019743.1 |
申请日期 |
2007.01.30 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
伊恩·J·布朗 |
分类号 |
H01L21/302(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
肖善强;南 霆 |
主权项 |
1. 一种处理衬底上的电介质膜的方法,包括:将具有所述电介质膜的所述衬底布置在处理系统中,其中所述电介质膜的表面层已被暴露于蚀刻等离子体、灰化等离子体或湿法清洁化学剂或其中两种或更多种的任意组合;和在所述电介质膜上进行干法非等离子体去除工艺,以去除所述表面层,所述去除工艺包括:将所述电介质膜上的所述表面层暴露于包含HF或NH3或其组合的处理气体,以将所述表面层化学改性;和将经化学改性的所述表面层热处理,以使经化学改性的所述表面层脱附。 |
地址 |
日本东京都 |