| 摘要 |
1. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции: ! наносят на указанную подложку первое покрытие из материала, содержащего допант и агент для предотвращения рассеяния допанта, и второе покрытие из материала, содержащего допант, с обеспечением возможности контакта материала второго покрытия, по меньшей мере, с материалом первого покрытия, и ! осуществляют одновременное формирование посредством термодиффузионной обработки первого диффузионного слоя в области, на которую нанесено первое покрытие, и в области, на которую нанесено второе покрытие, второго диффузионного слоя, имеющего меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал второго покрытия содержит агент для предотвращения автолегирования. ! 3. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции: ! формируют канавку в указанной подложке; ! на всю поверхность подложки наносят первое покрытие из материала, содержащего допант и агент для предотвращения рассеяния допанта; и ! формируют на дне указанной канавки посредством термодиффузионной обработки первый диффузионный слой и одновременно в области вне дна канавки второй диффузионный слой, имеющий меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что термодиффузионную обработку осуществляют в атмосфере источника легирования из па |
