| 发明名称 | IC芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目标是降低IC芯片的单位成本，并实现IC芯片的大量生产。按照本发明，使用尺寸上没有限制的衬底(例如玻璃衬底)取代硅衬底。这实现了IC芯片的大量生产以及单位成本的降低。此外，通过研磨和抛光衬底(例如玻璃衬底)提供了薄的IC芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN100499022C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200580023217.3 | 申请日期 | 2005.07.06 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 鹤目卓也;大力浩二;楠本直人 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/13(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1. 一种制造IC芯片的方法，包括：在玻璃衬底的第一绝缘表面上形成含有绝缘层、多个元件和导电层的薄膜集成电路；在所述薄膜集成电路上提供第一膜；在第一膜上提供第二膜；研磨所述玻璃衬底的第二绝缘表面；切割所述玻璃衬底、绝缘膜和第一膜，以便形成多个其中堆叠了所述玻璃衬底、薄膜集成电路和第一膜的IC芯片；扩展第二膜，以便在IC芯片之间形成间隔；在玻璃衬底的第二绝缘表面上提供第三膜；加热第三膜，使所述玻璃衬底的第二绝缘表面粘附到第三膜；用光照射第二膜；以及使所述IC芯片中的至少一个与第二膜分开。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||