发明名称 在基底上产生纳米颗粒薄膜的方法
摘要 本发明涉及用于在基底上产生纳米颗粒薄膜的方法,还涉及基于这种纳米颗粒薄膜的传感器,并涉及其用途。本发明还涉及用于增强基于纳米颗粒薄膜的传感器的敏感性和/或选择性的方法。本发明还涉及用于使用所述薄膜或所述传感器来探测分析物或分析物混合物的方法。
申请公布号 CN101451971A 申请公布日期 2009.06.10
申请号 CN200810181677.4 申请日期 2008.12.04
申请人 索尼株式会社 发明人 N·克拉斯特瓦;Y·约瑟夫
分类号 G01N27/00(2006.01)I 主分类号 G01N27/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢 江;王小衡
主权项 1. 用于在基底的表面上产生纳米颗粒薄膜的方法,所述薄膜包含分布于所述表面上的纳米颗粒,所述纳米颗粒至少部分地被嵌入到也位于所述表面上的不导电介质中或者或至少部分地被其围绕,诸如聚合物基体或有机链接剂分子或有机加帽配合基,所述方法包括以下步骤:-提供具有表面的基底,-优选地通过从逐层自组装、喷射、丝网印刷、冲压、刮片和Langmuir-Blodgett技术中所选择的工艺,在所述基底的所述表面上施加纳米颗粒薄膜,-通过以下方式,向所述薄膜中有意地引入结构不均匀性或不连续性:-在所述基底的所述表面上以≤45nm、优选≤10nm的平均薄膜厚度施加所述薄膜,或者-在所述基底的图案化表面上施加所述薄膜,所述图案化表面具有图案,所述图案将结构不均匀性或不连续性引入所述薄膜。
地址 日本东京都