发明名称 |
凸点制作方法 |
摘要 |
一种凸点制作方法,包括如下步骤:在芯片上沉积凸点下金属层;在凸点下金属层上形成光刻胶层、并通过曝光和显影形成光刻胶开口;在光刻胶开口位置的凸点下金属层上形成厚度不大于光刻胶厚度的第一层焊料;在第一层焊料上沉积第二层焊料,其中,第二层焊料的熔融温度小于第一层焊料的熔融温度;去除光刻胶和凸点下金属层;回流第二层焊料,形成凸点。上述方法形成的凸点可以提高集成电路板上凸点的密度。 |
申请公布号 |
CN100499055C |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200610116854.1 |
申请日期 |
2006.09.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
丁万春;李德君;孟津 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1、一种凸点制作方法,其特征在于,包括如下步骤:在芯片上沉积凸点下金属层;在凸点下金属层上形成光刻胶层、并通过曝光和显影形成光刻胶开口;在光刻胶开口位置的凸点下金属层上电镀形成厚度不大于光刻胶厚度的第一层焊料,所述第一层焊料为铅的质量百分比含量高于95%的高铅铅锡合金,所述电镀工艺包括步骤在凸点下金属层上以0.1A/dm2至1A/dm2的电流密度电镀1至5分钟,在3A/dm2至10A/dm2的电流密度下电镀;在第一层焊料上沉积第二层焊料,其中,第二层焊料的熔融温度小于第一层焊料的熔融温度;去除光刻胶和所述第一层焊料之外的凸点下金属层;回流第二层焊料形成凸点。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |