| 发明名称 | 高压晶体管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压晶体管制造方法，通过在所述硅衬底上阱区的位置进行选择性延伸轻掺杂源漏离子注入后，在晶体管沟道靠近源端一侧，增加一道靠近表面的离子注入，从而有效减小了晶体管表面的沟道长度，进而增加了晶体管的饱和电流；而且，本发明所述方法也不会影响晶体管源端的结击穿电压以及漏电流等特性，因此不会引起晶体管源漏穿通等安全问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101452849A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710094381.4 | 申请日期 | 2007.12.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;胡君 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种高压晶体管制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底阱区的位置进行选择性延伸轻掺杂源漏离子注入以后，增加一道对晶体管沟道靠近源区的一侧进行离子注入的工序，然后再对硅片进行延伸源漏退火。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||