| 发明名称 | 具有多个等离子体反应区域的包括多个处理平台的等离子体反应室 | ||
| 摘要 | 一种等离子体反应室包括反应室主体，于反应室主体内设置多个处理平台。每一个处理平台内设置有一个可旋转的基片支座。每一个基片支座上方设置有一个与等离子参与反应区同位的等离子体生成区，在每一个所述的同位的等离子体生成区的上方相邻地设置有一个相应的相邻等离子体生成区，并且该同位等离子体生成区与该相应的相邻等离子体生成区相连通。射频能量源与每一个相邻等离子体生成区相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101451237A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710171405.1 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 陈爱华;刘忆军;陈金元;罗力;倪图强;尹志尧;何乃明 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;B01J19/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王 洁 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体反应室，包括：反应室主体，于其内设置有多个处理平台；多个可旋转的基片支座，每一个所述基片支座对应设置于每一个所述处理平台中；多个与等离子参与反应区同位的等离子体生成区，每一个所述与等离子参与反应区同位的等离子体生成区位于每一个所述基片支座的上方；多个相邻等离子体生成区，每一个所述相邻等离子体生成区位于每一个相应的与等离子参与反应区同位的等离子体生成区的上方，并与该相应的与等离子参与反应区同位的等离子体生成区相连通；以及射频能量源，与每一个所述相邻等离子体生成区相连接。 | ||
| 地址 | 201201上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||