| 发明名称 | 用BaCeO<sub>3</sub>掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法 | ||
| 摘要 | 一种用BaCeO<sub>3</sub>掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法，其特征在于，将平均粒度为1nm～100nm的BaCe<sub>1-x</sub>Gd<sub>x</sub>O<sub>3</sub>粉末加入Y<sub>1.8</sub>Ba<sub>2.4</sub>Cu<sub>3.4</sub>O<sub>y</sub>粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺(TSMTG)生成单畴结构的YBaCuO超导块，其中，BaCe<sub>1-x</sub>Gd<sub>x</sub>O<sub>3</sub>粉末加入量为Y<sub>1.8</sub>Ba<sub>2.4</sub>Cu<sub>3.4</sub>O<sub>y</sub>粉末的0.25wt％～1.00wt％。用本发明的方法制备的单畴YBaCuO超导块的临界电流密度均高于未掺杂的单畴YBaCuO超导块。掺杂量为0.50wt％的超导块的临界电流密度达到了掺杂0.2wt％贵金属Pt样品的同等水平。 | ||
| 申请公布号 | CN101450859A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710178442.5 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 肖玲;焦玉磊;郑明辉 |
| 分类号 | C04B35/45(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)N | 主分类号 | C04B35/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 1、一种用BaCeO3掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法，其特征在于，将平均粒度为1nm～100nm的BaCe1-xGdxO3粉末加入Y1.8Ba2.4Cu3.4Oy粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺生成单畴结构的YBaCuO超导块，其中，BaCe1-xGdxO3粉末加入量为Y1.8Ba2.4Cu3.4Oy粉末的0.25wt％～1.00wt％。 | ||
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