| 发明名称 | MOS晶体管中的沟道结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOS晶体管中的沟道结构，用于功率MOS晶体管中，其沟道区的硅衬底表面设有多个沟槽，所述各沟槽的长度方向与MOS晶体管工作时沟道区内电流的运动方向相同。本发明利用在沟道区中加入沟槽，使沟道由单平面变为多平面，在不改变器件尺寸的前提下增加器件的有效沟道长度，增大了器件的驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101452954A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710094352.8 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种MOS晶体管中的沟道结构，其特征在于：所述沟道区的硅衬底表面设有多个沟槽，所述各沟槽的长度方向与MOS晶体管工作时沟道区内电流的运动方向相同。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||