| 发明名称 | 半导体装置、其制造方法以及使用该半导体装置的信号发送/接收方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，以及使用该半导体装置的信号发送/接收方法。所述半导体装置(100)包括半导体芯片形成区(102)的半导体衬底；芯片内部电路(124)；信号发送/接收电感器(114)，所述信号发送/接收电感器(114)通过电磁感应以非接触方式将信号发送到外部或从外部接收信号，并且通过到芯片内部电路(124)的电连接将信号发送到芯片内部电路(124)或从芯片内部电路(124)接收信号；以及功率接收电感器(112)，所述功率接收电感器(112)具有沿半导体芯片形成区(102)的外部边缘设置的直径以便包围芯片内部电路(124)和信号发送/接收电感器(114)，以非接触方式从外部接收供电信号，并且电连接到芯片内部电路(124)。因此，当以非接触方式发送/接收多个信号时，可以以非接触方式进行充分供电同时限制芯片尺寸的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN101452932A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200810178879.3 | 申请日期 | 2008.12.04 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 中柴康隆 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I;G06K7/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括半导体芯片形成区；芯片内部电路，所述芯片内部电路被设置在所述半导体衬底的所述半导体芯片形成区内；信号发送/接收单元，所述信号发送/接收单元被设置在所述半导体衬底的所述半导体芯片形成区内，通过电磁感应和电容耦合中的一种以非接触方式将信号发送到外部或从外部接收信号，并且通过电连接到所述芯片内部电路而将信号发送到所述芯片内部电路或从所述芯片内部电路接收信号；以及，功率接收电感器，所述功率接收电感器具有沿所述半导体衬底的所述半导体芯片形成区的外部边缘设置的直径以便包围所述芯片内部电路和所述信号发送/接收单元，以非接触方式从外部接收供电信号，并且电连接到所述芯片内部电路。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||