发明名称 |
氮化物半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成,并且,形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上,起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化,因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此,能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良,所以,能够实现低电阻的p电极(12)。 |
申请公布号 |
CN101452899A |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200810178023.6 |
申请日期 |
2008.12.08 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
盐泽胜臣;金本恭三;黑川博志;德田安纪;臧本恭介;佐久间仁 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
闫小龙;蒋 骏 |
主权项 |
1. 一种氮化物半导体装置,其特征在于,具备:由氮化物半导体构成的p型接触层;p电极,由在所述p型接触层上依次形成的第一Pd膜和Ta膜、以及在所述Ta膜上部的整个面上形成的第二Pd膜构成;形成在所述p电极上的焊盘电极,构成所述p电极的第二Pd膜的膜厚为50nm以上且150nm以下。 |
地址 |
日本东京都 |