| 发明名称 | 一种非挥发性存储元件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非挥发性存储元件，由Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜及其上下表面的Pt电极构成三明治结构的Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜非挥发性存储元件，其中x＝0.6或0.8或1。本发明还公开了上述非挥发性存储元件的制备方法，包括以下步骤：制备Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O前驱液；在Pt底电极上制备Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜；上述Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜在650℃下退火，然后冷却到室温；将上述经热处理后的Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜上表面镀Pt电极，构成三明治结构的Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O非挥发性存储器件。本发明提供的Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O非挥发性存储器件，其高阻、低阻比值更大，达到10<sup>7</sup>至10<sup>9</sup>，有利于提高器件的信噪比，改善器件性能，并简化存储态读出过程，具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101452994A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200810199124.1 | 申请日期 | 2008.10.14 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 包定华;陈心满 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 陈 卫 |
| 主权项 | 1. 一种非挥发性存储元件，其特征在于由MgxZn1-xO薄膜及其上下表面的Pt电极构成三明治结构的MgxZn1-xO薄膜非挥发性存储元件，其中x＝0.6或0.8或1。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市海珠区新港西路135号 | ||