薄膜晶体管的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管的制造方法，其先提供基板。接着，于基板上形成多晶硅岛状物。再来，形成栅绝缘层以覆盖多晶硅岛状物。继之，于栅绝缘层上形成栅极。之后，于栅极两侧下方的多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而源极/漏极之间即是通道区，其中形成多晶硅岛状物与栅极至少其中之一种方法是利用下述图案的形成方法，此图案的形成方法是用来形成非连续膜层，以降低膜层应力。之后，对非连续膜层进行图案化工艺以形成图案。本发明之薄膜晶体管的制造方法由于利用了上述图案的形成方法，而可消除因应力不均所造成的基板翘曲的现象，进而能提高薄膜晶体管的制造合格率。

主权项

1. 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括：提供基板；于该基板上形成多晶硅岛状物；形成栅绝缘层以覆盖该多晶硅岛状物；于该栅绝缘层上形成栅极；以及于该栅极两侧下方之该多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而该源极/漏极之间即是通道区；其中形成该多晶硅岛状物与该栅极至少其中之一的方法包括：形成第一非连续膜层，以降低该第一非连续膜层应力；以及对该第一非连续膜层进行图案化工艺以形成该多晶硅岛状物或该栅极图案；在该基板上形成图案化介电层，其中该图案化介电层暴露出部分该源极/漏极，其中形成该图案化介电层的方法包括：在该基板上形成介电层，覆盖该栅极与该栅绝缘层；于该介电层上形成图案化光刻胶层，其具有第一开口与第二开口；进行第一蚀刻步骤，以移除该第一开口底下的该介电层，而于该介电层中形成凹陷图案；进行第二蚀刻步骤以移除该第二开口底下的该介电层与该栅绝缘层，以使该源极/漏极暴露出来，且同时去除位于该第一开口底下的该栅绝缘层；以及去除该图案化光刻胶层；以及在该图案化介电层上形成源极/漏极导体层，而该源极/漏极导体层分别与该源极/漏极电连接；其中形成该图案化介电层与该源极/漏极导体层至少其中之一的方法包括：形成第二非连续膜层，以降低该第二非连续膜层应力；以及对该第二非连续膜层进行图案化工艺以形成该图案化介电层或该源极/漏极导体层图案。