发明名称 |
相变存储器的写入系统与方法 |
摘要 |
本发明的一实施例为一种相变存储器的写入系统,包括一第一写入电路、一验证电路、一第一相变存储单元与一第二相变存储单元。该第一写入电路,执行一写入程序,接收一第一数据并写入至该第一相变存储单元。该验证电路,执行一验证程序,包括一处理单元以及一第二写入电路。该处理单元,读取并比较该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据。该第二写入电路,当该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据并不符合时,将该第二数据再次写入该第二相变存储单元。 |
申请公布号 |
CN101452743A |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200710197139.X |
申请日期 |
2007.12.05 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
许世玄;林烈萩;江培嘉;林文斌 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
蒲迈文;黄小临 |
主权项 |
1. 一种相变存储器的写入系统,包括:一第一相变存储单元与一第二相变存储单元;一第一写入电路,执行一写入程序,接收一第一数据并写入至该第一相变存储单元;以及一验证电路,执行一验证程序,包括:一处理单元,读取并比较该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据;以及一第二写入电路,当该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据并不符合时,将该第二数据再次写入该第二相变存储单元。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |