发明名称 |
整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片以及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片及其制造方法,整流二极管由外壳、芯片、引出线几部分组成,芯片包括长基区N、扩磷区N<sup>+</sup>,浓硼扩散区P<sup>+</sup>,槽型钝化台面,芯片中间为长基区N,阴极K在磷扩散区N<sup>+</sup>上,阳极A在浓硼扩散区P+上,上部是磷扩散区N<sup>+</sup>,下部是浓硼扩散区P<sup>+</sup>,芯片的周边设有隔离墙,在隔离墙上设有垂直穿通的激光孔,激光孔的直径小于200μm,激光孔的间距40-400μm,槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。由于采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造整流二极管芯片,耐压提高,性能稳定。也就是说本发明不但克服了原来单面刻槽方法制造的芯片的缺点,而且具有原来单面刻槽方法制造的芯片的优点。 |
申请公布号 |
CN100499172C |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200410065392.6 |
申请日期 |
2004.11.30 |
申请人 |
安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
发明人 |
王日新 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
芜湖安汇知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐 晖 |
主权项 |
1、一种整流二极管,整流二极管由外壳、芯片、引出线三部分组成,芯片包括平行放置的长基区N、磷扩散区N+,浓硼扩散区P+,槽型钝化台面,所述的芯片中间为长基区N,上部是磷扩散区N+,下部是浓硼扩散区P+,阴极K在磷扩散区N+上,阳极A在浓硼扩散区P+下,其特征在于:芯片的周边设有隔离墙,在隔离墙平面上设有垂直穿通的激光孔,激光孔的直径小于200μm,激光孔的间距40-400μm,所述的槽型钝化台面设在隔离墙与阴极K之间。 |
地址 |
245600安徽省祁门县新兴路449号 |