一种适于器件化的磁性隧道结及其用途

摘要

本发明涉及一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一复合膜层，其上下两层为0.2～2nm厚度的金属层或是绝缘体势垒层，中间层为0.5～5nm厚度的氧化铝膜层。该磁性隧道结能够广泛应用于以磁性隧道结为核心的各种器件。本发明提供的适于器件化的磁性隧道结，可以克服现有技术的缺陷，提高磁性隧道结的性能，使其在保持高的磁电阻比值和低的电阻与结面积的积矢的情况下，还具有重复性和稳定性好，信噪比高，寿命长等优点，能够满足大规模产品化的要求。

主权项

1、一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一复合膜层，所述的复合膜层由上下两层金属层或是绝缘体势垒层，和在上下两层金属层或是绝缘体势垒层中设置一中间层组成，所述的中间层为氧化铝膜层；其中，所述的金属层或是绝缘体势垒层厚度为0.2～2nm；所述的氧化铝膜层厚度为0.5～5nm。