| 发明名称 | 单壁碳纳米管的电化学处理方法、单壁碳纳米管及器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单壁碳纳米管(SWNT)的电化学处理方法、单壁碳纳米管及器件。在该选择性处理SWNT的方法中，使用SWNT为阳极，施加刻蚀启始电压以上的电压，在电解液中对SWNT进行电化学刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101451273A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710196651.2 | 申请日期 | 2007.11.29 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 梶浦尚志;李勇明;魏大程;刘云圻;曹灵超;付磊;李祥龙;王钰;朱道本 |
| 分类号 | C30B33/08(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;马高平 |
| 主权项 | 1、一种选择性处理单壁碳纳米管的方法，包括：使用所述单壁碳纳米管为阳极，施加在刻蚀启始电压以上的电压，在电解液中对所述单壁碳纳米管进行电化学刻蚀。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||