基板蚀刻液

摘要

本发明提供能够防止基板(特别是半导体基板)被金属杂质污染的基板蚀刻液及基板蚀刻方法。本发明的蚀刻液包含通式(1)所示的二羧酸或其盐和20重量％(W/W)以上的碱金属氢氧化物，本发明的基板的蚀刻方法的特征在于，用上述蚀刻液来蚀刻基板。通式(1)中，T¹和T²各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～3的烷基，或者表示T¹和T²形成结合键，R¹～R⁴各自独立地表示氢原子、羟基、羧基或碳原子数为1～3的烷基。其中，在T¹和T²未形成结合键的情况下，T、T²和R¹～R⁴中的任意2个基团为羧基，其余的任意1个基团为羟基，这些以外的基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基；在T¹和T²形成结合键的情况下，R¹～R⁴中的任意2个基团为羧基，其余基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基。

主权项

1、一种基板的蚀刻液，其包含下述通式(1)所示的二羧酸或其盐和20重量％以上的碱金属氢氧化物，通式(1)中，T¹和T²各自独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～3的烷基，或者表示T¹和T²形成结合键，R¹～R⁴各自独立地表示氢原子、羟基、羧基或碳原子数为1～3的烷基；其中，在T¹和T²未形成结合键的情况下，T¹、T²和R¹～R⁴中的任意2个基团为羧基，其余的任意1个基团为羟基，这些以外的基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基，在T¹和T²形成结合键的情况下，R¹～R⁴中的任意2个基团为羧基，其余基团各自独立地是氢原子或碳原子数为1～3的烷基。