| 发明名称 | 高压晶体管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压晶体管制造方法，高压阱注入后，先进行低剂量、大能量的漂移区离子注入，然后相继进行能量逐渐递减的多次漂移区离子注入，并在漂移区表面采用低能量、中剂量的离子注入。采用该方法制造的高压晶体管能提高驱动能力，并减小高压晶体管漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101452839A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710094360.2 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种高压晶体管制造方法，其特征在于，高压阱注入后，先进行低剂量、大能量的漂移区离子注入，然后相继进行能量逐渐递减的多次漂移区离子注入，并在漂移区表面采用低能量、中剂量的离子注入。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||