| 发明名称 | 固体摄像装置 | ||
| 摘要 | 提供一种固体摄像装置，降低测距用光电变换元件(AF传感器)和测光用光电变换元件(AE传感器)之间的串扰。其构成包括N型Epi层(202)、在半导体区域(202)内形成的P型第一阱区(203)、在半导体区域(202)内形成的和第一阱区电分离的P型第二阱区(203)、在第一阱区内形成的N型第一扩散区域(205)在第二阱区内形成的N型第二扩散区域(205)，用P型的第一阱区和N型的第一扩散区域中形成测光用光电变换元件(AE传感器)(103)，用P型的第二阱区和N型的第二扩散区域形成测距用光电变换元件(AF传感器)(101、102)。 | ||
| 申请公布号 | CN100499141C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN03106139.7 | 申请日期 | 2003.02.19 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 高桥秀和 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I;G03B7/099(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1. 一种固体摄像装置，其特征在于具有：第一导电型的第一半导体区域，在该第一半导体区域内形成的、作为与上述第一导电型相反的导电型的第二导电型的第二半导体区域，在上述第一半导体区域内形成的、与该第二半导体区域电分离的第二导电型的第三半导体区域，在上述第二半导体区域内形成的第一导电型的第四半导体区域，以及在上述第三半导体区域内形成的第一导电型的第五半导体区域，且用上述第二半导体区域和上述第四半导体区域形成测光用光电变换元件，用上述第三半导体区域和上述第五半导体区域形成测距用光电变换元件，在上述第二半导体区域和上述第三半导体区域之间，设置用来使上述测光用光电变换元件和/或测距用光电变换元件动作的周边电路。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||