| 发明名称 | 快闪EEPROM的过抹除修正方法及其电路 | ||
| 摘要 | 一种快闪EEPROM的过抹除修正方法及其电路，其在储存器阵列内的储存器晶胞于资料抹除后，对储存器晶胞做过抹除修正的方法，包括以下步骤：(a)选定漏电流超出临界值的第一位元线，并将与其耦接的储存器晶胞的闸极电压设定为一初始电压值；(b)在预设时限内，对选定的第一位元线施以一系列过抹除修正脉冲；(c)在预设时限内，检查第一位元线是否有超出临界值的漏电流；(d)若已超过预设时限后，第一位元线仍然有超出临界值的漏电流时，则提高闸极电压，并重复步骤(b)与(c)；以及(e)若在该预设时限内，检查出第一位元线的漏电流在临界值以下，则选定一第二位元线，并重复步骤(a)到(d)。 | ||
| 申请公布号 | CN100498976C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200410059237.3 | 申请日期 | 2004.06.14 |
| 申请人 | 晶豪科技股份有限公司 | 发明人 | 陈宗仁 |
| 分类号 | G11C29/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1. 一种过抹除修正的方法，其适用于在一储存器阵列内的一储存器晶胞被抹除之后，该方法包括以下步骤：(a)选定漏电流超出一临界值的一第一位元线，并将与该第一位元线耦接的该储存器晶胞的一闸极电压设定为一初始电压值；(b)在一预设时限内，对选定的该第一位元线施以一系列过抹除修正脉冲；(c)在该预设时限内，检查该第一位元线是否有超出该临界值的漏电流；(d)若该预设时限已过，该第一位元线仍然有超出该临界值的漏电流时，则提高该闸极电压，并重复步骤(b)与(c)；以及(e)若在该预设时限内，检查出该第一位元线的漏电流在该临界值以下，则选定下一条位元线，重复步骤(a)到(d)。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||