| 发明名称 | 后端金属化结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了同时包含高k和低k电介质区域的制造方法及后端(BEOL)金属化结构。互连结构包含第一层间电介质(ILD)层和第二ILD层，该第一ILD层位于第二ILD层下方。多个柱状空气间隙形成于第一ILD层内。由双相光致抗蚀剂材料产生该柱状空气间隙结构，其中该双相光致抗蚀剂材料用于提供在后续工艺中的不同蚀刻选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN100499107C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200610136621.8 | 申请日期 | 2006.10.31 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杰克·A·曼德尔曼;许履尘;杨智超;威廉·汤蒂 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种用于制造同时包含高k和低k介电材料的半导体器件的后端金属化结构，包含：互连结构；所述互连结构包含第一层间电介质层和第二层间电介质层；所述第一层间电介质层位于所述第二层间电介质层下方；以及形成于所述第一层间电介质层内的多个柱状空气间隙。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||