发明名称 Durchsubstratverbindungskontakt-Halbleiterkomponenten
摘要 <p>Es werden eine Struktur und ein Verfahren zum Ausbilden von Kontaktpads für Durchsubstratverbindungskontakte durch Ausbilden von gestapelten Halbleiterkomponenten beschrieben. Bei verschiedenen Ausführungsformen beschreibt die vorliegende Erfindung Kontaktpadstrukturen, die mehrere Ebenen von durch Verbindungskontakte verbundenen leitenden Platten enthalten, so dass die elektrische Verbindung zwischen einer Durchsubstratätzung und einem Kontaktpad unabhängig ist von dem Ort des Bodens des Durchsubstratgrabens.</p>
申请公布号 DE102008053427(A1) 申请公布日期 2009.06.04
申请号 DE20081053427 申请日期 2008.10.28
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BARTH, HANS-JOACHIM;POHL, JENS
分类号 H01L21/60;H01L23/50 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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