Verfahren und Teststruktur zur Überwachung von CMP-Prozessen in Metallisierungsschichten von Halbleiterbauelementen

摘要

Durch Bilden einer großen Metallfläche und Entfernen von überschüssigem Material wird eine ausgeprägte abgesenkte Oberflächentopographie geschaffen, die auch die weitere Ausbildung einer Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements beeinflusst, wodurch die Wahrscheinlichkeit des Beibehaltens mit Metallresten über der abgesenkten Oberflächentopographie erhöht wird. Durch Vorsehen von Testmetallleitungen in dem Bereich der abgesenkten Oberflächentopographie kann folglich das Leistungsverhalten eines entsprechenden CMP-Prozesses mit erhöhter Effizienz abgeschätzt werden.