| 发明名称 | 具有电容器元件的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有电容器元件的半导体器件，包括：电容器元件，其具有提供在半导体衬底上方的平板型下电极、提供在下电极上方并且与之平行的平板型TiN膜和提供在下电极和TiN膜之间的电容器膜；以及第一Cu栓塞，其与下电极的底表面接触，并且由金属材料构成，其中该电容器膜具有包含有机分子作为成分的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101447503A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810178821.9 | 申请日期 | 2008.12.01 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 井上显;井上智子 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：电容器元件，所述电容器元件包括：提供在半导体衬底上方的平板型下电极，提供在所述下电极上方并且与之平行的平板型上电极，和提供在所述下电极和所述上电极之间的电容器膜；以及第一接触栓塞，所述第一接触栓塞与所述下电极的底表面接触，并且由金属材料构成，其中所述电容器膜具有包含有机分子作为成分的膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||