| 发明名称 | 光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法，所述光掩模包括形成于线型图案(41)与岛型图案(43)之间的点型图案(45)。使用该光掩模制造半导体器件的方法改进器件的良率及生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN101446756A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810132384.7 | 申请日期 | 2008.07.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 文载寅 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I;G03F1/08(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 1. 一种光掩模，包括第一图案、第二图案以及设置于所述第一图案与所述第二图案之间的一个或多个点型图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||