半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，衬底设置有第一布线层(111)、第一布线层上的层间绝缘膜(132)、形成于层间绝缘膜中的孔(112A)、覆盖孔的内表面和层间绝缘膜的上表面的第一金属层(112)、嵌入并填充孔的第二金属层(113)、第一金属层和第二金属层上的电介质绝缘膜(135)、以及电介质绝缘膜上的第二布线层(114-116)，其中层间绝缘膜上的第一金属层形成为平坦结构，其中，第一金属层构成下电极的至少一部分，第二布线层面向下电极的区域构成上电极，并由下电极、电介质绝缘膜和上电极(P1)构成电容器(160)。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：第一布线层，形成于半导体衬底上；层间绝缘膜，形成于该第一布线层上；孔，形成于该层间绝缘膜中并在该层间绝缘膜的上表面具有开口；第一金属层，覆盖该孔的内表面和该层间绝缘膜的上表面，其中该层间绝缘膜上的第一金属层形成为平坦结构；第二金属层，嵌入并填充覆盖有该第一金属层的孔；电介质绝缘膜，形成于该第一金属层和该第二金属层的上方；以及第二布线层，形成于该电介质绝缘膜的上方，其中，嵌入具有下电极和上电极的电容器，该下电极包括覆盖孔的内壁表面的第一金属层，其中该第二布线层的面向该下电极的区域构成该上电极。