外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器

摘要

本发明公开了一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，包括：a)由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；b)由磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列；c)顶电极读字线和底电极写字线相互正交，磁性薄膜存储单元位于顶电极读字线与底电极写字线之间；d)顶电极读字线与底电极写字线的共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过。本发明不采用传统的与半导体CMOS匹配的方法，而直接采取简单的常规外围电路来实现信息的读取与写入，大大简化了存取存储器的结构，从而降低了存取存储器的生产成本。

主权项

1、一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，其特征在于，包括：a)由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；b)由磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列；c)顶电极读字线和底电极写字线相互正交，磁性薄膜存储单元位于顶电极读字线与底电极写字线之间；d)顶电极读字线与底电极写字线的共用一对电极，通过读写转换开关控制读电流和写电流的通过；所述磁性薄膜存储单元的至少一个磁性材料层的易磁化方向沿所述顶电极读字线或底电极写字线的纵向方向，这样可保证以0.05～10mA的读电流和1～200mA的写电流来产生磁场，实现存储器的读和写。