具有空腔的沟槽结构的形成方法

摘要

本发明涉及具有空腔的沟槽结构和包括沟槽结构的电感器及形成方法。形成沟槽结构的方法包括：在衬底上形成具有第一宽度和第一深度的深沟槽；通过用第一绝缘层图案以在所述深沟槽中限定空腔的方式填充所述深沟槽，在所述深沟槽中形成空腔；在所述深沟槽上形成浅沟槽。在所述深沟槽中形成所述空腔包括在平行于所述衬底的方向上从所述深沟槽内部侧壁的暴露部分处生长外延硅层，使得所述深沟槽的开口通过该外延硅层被部分地封闭，从而所述深沟槽具有宽度比所述深沟槽底部的宽度小的开口；以及在所述第二氮化物层图案上形成第三氧化物层图案，从而通过覆盖所述开口的顶部部分完成所述空腔。

主权项

1. 一种形成沟槽结构的方法，包括：在衬底上形成具有第一宽度和第一深度的深沟槽；通过用第一绝缘层图案以在所述深沟槽中限定空腔的方式填充所述深沟槽，在所述深沟槽中形成空腔；在所述深沟槽上形成浅沟槽，该浅沟槽具有比所述第一宽度宽的第二宽度以及比所述第一深度浅的第二深度；以及用第二绝缘层图案填充所述浅沟槽，其中：所述第一深度与所述第一宽度之间的比在超过4:1的范围内并且所述第二宽度与所述第二深度之间的比在1:0.1至1:0.3的范围内，且所述第一宽度与所述第二宽度之间的比为1:1.0至1:1.5，并且所述第一深度与所述第二深度之间的比在1:0.04至1:0.07的范围内，以及其中在所述深沟槽中形成所述空腔包括：在所述深沟槽的侧壁上形成第二氧化物层图案；在所述第二氧化物层图案上形成第二氮化物层；过蚀刻所述第二氧化物层图案和所述第二氮化物层，从而形成第二氮化物层图案并暴露所述深沟槽的内部侧壁的上面部分；在平行于所述衬底的方向上从所述深沟槽内部侧壁的暴露部分处生长外延硅层，使得所述深沟槽的开口通过该外延硅层被部分地封闭，从而所述深沟槽具有宽度比所述深沟槽底部的宽度小的开口；以及在所述第二氮化物层图案上形成第三氧化物层图案，从而通过覆盖所述开口的顶部部分完成所述空腔。