半导体存储装置

摘要

设置有两组存储单元阵列(U、L)，在各自的位线(BITUn、BITLn)上连接有在被选择时，对各位线进行放电的参考单元(RCELLU、RCELLL)。在存储单元(U)被访问时，如果参考单元)(RCELLL)被选择，位线(BITLn）的电位降低至L电平，则预充电脉冲信号(PCGU)变为L电平，从存储单元阵列(U)的读出动作停止，并且，进行下次的预充电。从而，不会在读出数据中产生错误，可以实现读出动作的高速化。

主权项

1. 一种半导体存储装置，具备：第一和第二位线；预充电电路，其将所述第一和第二位线预充电至规定的电位；多个存储单元，其分别与所述第一或第二位线连接，在处于选择状态时，根据所保持的信号，维持或放电被预充电的所述第一或第二位线的电荷；字线，其选择所述存储单元；参考单元，其分别与所述第一或第二位线连接，在处于选择状态时，放电被预充电的所述第一或第二位线的电荷；和参考单元用字线，其选择所述参考单元；在与所述第一和第二位线中的一方位线连接的存储单元为了读出所保持的信号而被选择时，选择与另一方位线连接的参考单元；在停止所述第一和第二位线的预充电之后，在与所述一方位线连接的存储单元被选择并且与所述另一方位线连接的参考单元被选择之后，在所述另一方位线的电位通过放电降低至规定电位时，进行与所述一方位线的电位对应数据的读出，并且开始所述一方位线的预充电。