存储器阵列、形成存储器阵列的方法和形成位线接触的方法

摘要

本发明包括存储器阵列、和用于形成存储器阵列的方法。在存储器阵列制造过程中使用图案化的蚀刻停止，该蚀刻停止覆盖存储节点接触位置，同时给位线接触位置留下开口。在蚀刻停止上和位线接触位置上形成绝缘材料，穿过绝缘材料形成沟槽。在沟槽内设置导电材料，从而形成位线互连，该位线互连与位线接触位置电接触并通过蚀刻停止与存储节点接触位置电隔离。在随后的处理中，穿过蚀刻停止形成开口，该开口到达存储节点接触位置。然后在开口内形成存储器存储器件，其与存储节点接触位置电接触。

主权项

1. 一种为存储器阵列形成位线接触的方法，包括：提供半导体衬底，其具有第一组导电节点和第二组导电节点；在第二组导电节点上形成蚀刻停止；在蚀刻停止上和第一组导电节点上形成电绝缘材料；蚀刻所述电绝缘材料以形成沟槽，该沟槽完全穿过所述电绝缘材料延伸且不穿过所述蚀刻停止延伸，单个沟槽线性延伸跨越第一组节点和第二组节点；在沟槽内设置导电材料并与第一组导电节点电接触；形成延伸通过所述蚀刻停止到所述第二组导电节点的开口；形成与第二组导电节点电接触的存储器存储器件；和形成与所述导电材料电接触的位线。