发明名称 |
全桥式换流装置 |
摘要 |
一种全桥式换流装置,是可连接二驱动电路于公知全桥式换流电路,即可使用推挽式控制芯片进行控制,包括有:一推挽式控制芯片,是输出占空比小于50%的一第一控制信号与一第二控制信号;一第一驱动电路,是接受该第一控制信号与一直流电源;一第二驱动电路,是接受该第二控制信号与该直流电源;及一由四个N沟道场效应晶体管组成的全桥式开关组件,该全桥式开关组件耦接于该直流电源、该第一驱动电路、该第二驱动电路及一变压器,该全桥式开关组件受控于该第一驱动电路与该第二驱动电路,用以将该直流电源切换为一交流电源传送至一变压器一次侧的二端。 |
申请公布号 |
CN100495893C |
申请公布日期 |
2009.06.03 |
申请号 |
CN200610111966.8 |
申请日期 |
2006.08.28 |
申请人 |
联昌电子企业股份有限公司 |
发明人 |
陈振刚;王政雄 |
分类号 |
H02M7/48(2006.01)I;H02M7/515(2007.01)I;H02M7/521(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1. 一种全桥式换流装置,其特征在于,连接于一变压器一次侧的二端,是将一直流电源转换为一交流电源,包括有:一推挽式控制芯片,是设有一第一输出端与一第二输出端,该第一输出端与该第二输出端分别输出占空比小于50%的一第一控制信号与一第二控制信号;一第一开关,通过一第一缓冲电路耦接于该第一输出端;一第一SCR开关,该第一SCR开关的栅极耦接于该第一开关,该第一SCR开关的阳极耦接于该直流电源;一第一N沟道场效应晶体管,该第一N沟道场效应晶体管的栅极耦接于该第一SCR开关的阴极,该第一N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该直流电源,该第一N沟道场效应晶体管的源极耦接于该变压器一次侧的一端;一第二N沟道场效应晶体管,该第二N沟道场效应晶体管的栅极透过该第一缓冲电路耦接于该第一输出端,该第二N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该第一N沟道场效应晶体管的源极,该第二N沟道场效应晶体管的源极耦接到一参考端;一第二开关,通过一第二缓冲电路耦接于该第二输出端;一第二SCR开关,该第二SCR开关的栅极耦接于该第二开关,该第二SCR开关的阳极耦接于该直流电源;一第三N沟道场效应晶体管,该第三N沟道场效应晶体管的栅极耦接于该第二SCR开关的阴极,该第三N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该直流电源,该第三N沟道场效应晶体管的源极耦接于该变压器一次侧的另一端;及一第四N沟道场效应晶体管,该第四N沟道场效应晶体管的栅极透过该第二缓冲电路耦接于该第二输出端,该第四N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该第三N沟道场效应晶体管的源极,该第四N沟道场效应晶体管的源极耦接到该参考端。 |
地址 |
台湾省台北县 |