发明名称 全桥式换流装置
摘要 一种全桥式换流装置,是可连接二驱动电路于公知全桥式换流电路,即可使用推挽式控制芯片进行控制,包括有:一推挽式控制芯片,是输出占空比小于50%的一第一控制信号与一第二控制信号;一第一驱动电路,是接受该第一控制信号与一直流电源;一第二驱动电路,是接受该第二控制信号与该直流电源;及一由四个N沟道场效应晶体管组成的全桥式开关组件,该全桥式开关组件耦接于该直流电源、该第一驱动电路、该第二驱动电路及一变压器,该全桥式开关组件受控于该第一驱动电路与该第二驱动电路,用以将该直流电源切换为一交流电源传送至一变压器一次侧的二端。
申请公布号 CN100495893C 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200610111966.8 申请日期 2006.08.28
申请人 联昌电子企业股份有限公司 发明人 陈振刚;王政雄
分类号 H02M7/48(2006.01)I;H02M7/515(2007.01)I;H02M7/521(2006.01)I 主分类号 H02M7/48(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 逯长明
主权项 1. 一种全桥式换流装置,其特征在于,连接于一变压器一次侧的二端,是将一直流电源转换为一交流电源,包括有:一推挽式控制芯片,是设有一第一输出端与一第二输出端,该第一输出端与该第二输出端分别输出占空比小于50%的一第一控制信号与一第二控制信号;一第一开关,通过一第一缓冲电路耦接于该第一输出端;一第一SCR开关,该第一SCR开关的栅极耦接于该第一开关,该第一SCR开关的阳极耦接于该直流电源;一第一N沟道场效应晶体管,该第一N沟道场效应晶体管的栅极耦接于该第一SCR开关的阴极,该第一N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该直流电源,该第一N沟道场效应晶体管的源极耦接于该变压器一次侧的一端;一第二N沟道场效应晶体管,该第二N沟道场效应晶体管的栅极透过该第一缓冲电路耦接于该第一输出端,该第二N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该第一N沟道场效应晶体管的源极,该第二N沟道场效应晶体管的源极耦接到一参考端;一第二开关,通过一第二缓冲电路耦接于该第二输出端;一第二SCR开关,该第二SCR开关的栅极耦接于该第二开关,该第二SCR开关的阳极耦接于该直流电源;一第三N沟道场效应晶体管,该第三N沟道场效应晶体管的栅极耦接于该第二SCR开关的阴极,该第三N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该直流电源,该第三N沟道场效应晶体管的源极耦接于该变压器一次侧的另一端;及一第四N沟道场效应晶体管,该第四N沟道场效应晶体管的栅极透过该第二缓冲电路耦接于该第二输出端,该第四N沟道场效应晶体管的漏极耦接于该第三N沟道场效应晶体管的源极,该第四N沟道场效应晶体管的源极耦接到该参考端。
地址 台湾省台北县