氮化物半导体发光元件

摘要

一种氮化物半导体发光元件，根据与现有技术完全不同的着眼点而通过简单的方法把从p型氮化物半导体层向活性层的载流子注入效率提高。在兰宝石基板(1)上层合缓冲层(2)、不掺杂的GaN层(3)、n型GaN接触层(4)、InGaN/GaN超晶格层(5)、活性层(6)、不掺杂的InGaN层(7)、p型GaN类接触层(8)，在p型GaN类接触层上形成p电极(9)，在进行台面蚀刻而露出n型GaN接触层的面上形成电极n电极(10)。在最靠近具有量子阱结构的活性层p侧的阱层与p型GaN类接触层之间形成的中间半导体层包含不掺杂的InGaN，通过把中间半导体层的合计膜厚设定在20nm以下，能够提高载流子向活性层的注入效率。

主权项

1、一种氮化物半导体发光元件，具备由p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层把活性层夹住的结构，该活性层具有由阱层包含In的氮化物构成的量子阱结构，所述氮化物半导体发光元件特征在于，在所述活性层p侧最近位置配置的阱层与所述p型氮化物半导体层之间形成的中间半导体层包含不掺杂的InGaN层，所述中间半导体层的膜厚是20nm以下。