| 发明名称 | 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>z</sub>N层，该组分阶变Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>z</sub>N层制作在氮化铝插入层的上面。 | ||
| 申请公布号 | CN100495724C | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200610112889.8 | 申请日期 | 2006.09.06 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 马志勇;王晓亮;冉军学;胡国新;肖红领;王梅;罗卫军 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1. 一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面；该组分阶变AlxInyGazN层，沿生长方向，能带带阶由高向低阶变，通过Al组分由高到低阶变，或In组分由低到高阶变，或Al、In、Ga组分共同变化来实现；其中x+y+z＝1，0 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||