集成电路的制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路(IC)的制造方法，可在口袋掺杂与延伸掺杂完成后，于栅极侧壁形成超低温间隙壁；也可在超晕圈形成后，进行高斜角的延伸掺杂；或可在延伸掺杂后，进行固相外延，再进行低温制程，或者也可在进行口袋掺杂后，先进行热回火，然后再进行上述的延伸掺杂步骤；或者可先进行高能量低剂量的倾斜源极/漏极掺杂，再进行高剂量的源极/漏极掺杂。

主权项

1. 一种集成电路的制造方法，至少包括如下步骤：提供一基板，其中该基板上至少已形成一栅极结构，且该栅极结构至少包括依序堆迭的一介电层以及一导电层；对该基板进行一口袋掺杂步骤，以将多个第一离子斜向注入该基材中；于该口袋掺杂步骤后，在该栅极结构的侧壁上形成一偏移间隙壁；以及于形成该偏移间隙壁的步骤后，对该基板进行一延伸掺杂步骤。