| 发明名称 | 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，包括：在制作的亚微米HBT发射极金属/HEMT栅金属之上制作牺牲介质层，并剥离形成带有牺牲介质层的HBT发射极金属/HEMT栅金属；在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上涂平坦化材料，使基片表面平坦；刻蚀所述平坦化材料，暴露所述牺牲介质层；移除牺牲介质层，暴露需要互联的金属；清洗后，光刻、蒸发，制作金属互联。利用本发明，提高了引出的可靠性和稳定性，降低了工艺的复杂度。 | ||
| 申请公布号 | CN101447440A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710178316.X | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 于进勇;刘新宇;金智;程伟;夏洋 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，该方法包括：在制作的亚微米HBT发射极金属/HEMT栅金属之上制作牺牲介质层，并剥离形成带有牺牲介质层的HBT发射极金属/HEMT栅金属；在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上涂平坦化材料，使基片表面平坦；刻蚀所述平坦化材料，暴露所述牺牲介质层；移除牺牲介质层，暴露需要互联的金属；清洗后，光刻、蒸发，制作金属互联。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||