| 发明名称 | 包括具有导电覆层的掺杂半导体线的集成电路 | ||
| 摘要 | 一种集成电路，包括存储单元阵列和形成在半导体基板中的掺杂半导体线。掺杂半导体线连接至一行存储单元。该集成电路包括与掺杂半导体线接触的导电覆层。 | ||
| 申请公布号 | CN101447500A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810175217.0 | 申请日期 | 2008.10.30 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 乌尔里希·克洛斯特曼恩;乌尔丽克·格雷宁冯施韦林;弗朗茨·科鲁普尔 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1. 一种集成电路，包括：存储单元阵列；掺杂半导体线，形成在半导体基板中，所述掺杂半导体线连接至一行存储单元；以及导电覆层，与所述掺杂半导体线接触。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||