| 发明名称 | 高电阻多晶硅形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高电阻多晶硅形成方法，通过采用氧元素注入的方法来形成高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的分离，并通过调整氧元素的注入能量来同时满足高电阻多晶硅区和栅多晶硅区的厚度要求，然后再通过高温退火来形成作为高电阻多晶硅区的氧化层，从而起到了减少一块掩模板的作用，进而降低了成本，节约了面积；而且，不易造成高电阻多晶硅的失效。 | ||
| 申请公布号 | CN101447417A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710094284.5 | 申请日期 | 2007.11.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;周晓君 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/24(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种高电阻多晶硅形成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在淀积有二氧化硅的硅衬底上淀积一层多晶硅；(2)对所述多晶硅进行高剂量磷离子注入；(3)对所述经过高剂量磷离子注入后的多晶硅再进行氧元素注入；(4)对硅片进行高温退火。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||