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发明名称 TRENCH MOSFET HAVING LOW GATE CHARGE
摘要
申请公布号 EP1451877(A4) 申请公布日期 2009.06.03
申请号 EP20020786713 申请日期 2002.11.13
申请人 GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 HSHIEH, FWU-IUAN;SO, KOON, CHONG
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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