用于半导体工业的氢化物气体纯化方法

摘要

本发明公开了一种纯化(purification)氢化物气体的方法，其使用至少具有一种镧系金属或镧系金属氧化物的材料。该方法使污染物降低至100ppb，优选10ppb，更优选1ppb。所述材料还包括过渡金属和过渡金属氧化物、稀土元素和其它金属氧化物。本发明还包括在本发明方法中使用的材料。

主权项

1. 一种从氢化物气流中除去一种或多种污染物的方法，其包括：使所述氢化物气体与包含至少一种镧系金属氧化物和至少一种过渡金属或其氧化物的材料接触，从而将气流中污染物的水平降至不超过100ppb，所述材料不受所述气体的影响，其中所述过渡金属选自钼(Mo)、锰(Mn)、铬(Cr)、铼(Re)、铂(Pt)、铑(Rh)、钌(Ru)、钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)和钴(Co)，并且其中所述一种或多种污染物选自水、二氧化碳、氧气、非甲烷的烃、除水和二氧化碳之外的氢化物气体氧化产物、含金属的化合物、及选自SOx和NOx的含硫化合物和含氮化合物，其中x是1-3。