| 发明名称 | 一种氮化物薄膜外延生长的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种氮化物薄膜外延生长的方法，其包含下列步骤：首先直接升高衬底的温度到氮化物薄膜的生长温度；接着在生长初期，通过生长设备的计算机程序控制氨气(NH<sub>3</sub>)和III族源材料的输入开关，使氨气(NH<sub>3</sub>)和III族源材料交替脉冲地输入生长反应室；在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该过程会在衬底的表面形成一层成核层；然后高晶体质量的氮化物薄膜及其器件结构可生长在该成核层上。该方法可简化制备工艺、减少生长时间，因而可降低生长成本，提高生长效率。该方法利于高晶体质量、低位错密度的氮化物薄膜材料的生长。 | ||
| 申请公布号 | CN101445956A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710178325.9 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 闫发旺;高海永;张扬;张会肖;李晋闽;曾一平;王国宏 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1. 一种氮化物薄膜外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1)首先直接把衬底(1)的温度升高到氮化物薄膜(3)的生长温度；2)在生长初期，通过外延生长设备的计算机程序控制氨气和III族源材料的输入开关，使氨气和III族源材料脉冲地输入生长反应室，在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，在衬底(1)的表面上形成一层成核层(2)；3)在成核层(2)上外延生长氮化物薄膜(3)。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||