发明名称 基于射线实时成像的缺陷深度检测方法
摘要 本发明公开一种材料、结构等内部缺陷的射线检测方法—基于射线实时成像的缺陷深度检测方法。它由以下步骤完成:(一)首先将被测试件(1)置入射线源(2)和成像装置(3)之间,并调整被测试件(1)至射线源(2)和缺陷(5)的连线垂直于成像装置(3);进行第一次成像;(二)把被测试件(1)相对于射线源(2)与缺陷(5)之间的连线产生一个旋转角度(θ),进行第二次成像,就会在成像装置(3)上得到缺陷(5)的新投影(A),通过几何尺寸计算就能得出缺陷(5)的缺陷深度(h)。本发明解决了已有的实时成像检测装置只能进行二维检测而难以检验缺陷深度的问题,可以比较迅速地计算出缺陷在检测方向上的深度。本发明具有方法简单、工作可靠、具有较大应用范围等优点。
申请公布号 CN100495002C 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200410013786.7 申请日期 2004.05.28
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 刚铁;叶少剑
分类号 G01N23/18(2006.01)I;G06F19/00(2006.01)I 主分类号 G01N23/18(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 牟永林
主权项 1、一种基于射线实时成像的缺陷深度检测方法,其特征是它由以下步骤完成:(一)首先将被测试件(1)置入射线源(2)和成像装置(3)之间,通过调整被测试件(1),从而使射线源(2)和缺陷(5)的连线垂直于成像装置(3);进行第一次成像;(二)在第一次成像后,在射线源(2)与缺陷(5)连线上的被测试件(1)表面上设置金属标记块(4),把被测试件(1)相对于射线源(2)与缺陷(5)之间的连线产生一个旋转角度(θ),进行第二次成像,就会在成像装置(3)上得到缺陷(5)的新投影(A),金属标记块(4)就会在成像装置(3)上得到投影(B),通过下述几何尺寸计算就能得出缺陷(5)的缺陷深度(h):h=H-(R-r)L—射线源到成像装置上端面的距离,l—被测试件转动圆心到成像装置上端面的距离,r—缺陷的旋转半径,S1—缺陷在成像装置上的新投影A与原投影之间距离,S2—金属标记块在成像装置上的投影B与原投影之间的距离,R—金属标记块的旋转半径,H—被测试件的厚度。
地址 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号