| 发明名称 | 第Ⅲ族氮化物晶体衬底、发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了适用于发光器件中的可用的第III族氮化物晶体衬底、包括所述衬底的发光器件和制造所述发光器件的方法。第III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm<sup>2</sup>的主面，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×10<sup>4</sup>cm<sup>-2</sup>至3×10<sup>6</sup>cm<sup>-2</sup>，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101447542A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810178828.0 | 申请日期 | 2008.12.01 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 藤原伸介;吉田浩章 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 1. 第III族氮化物晶体衬底，所述第III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm2的主面，其中，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×104cm-2至3×106cm-2，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||