发明名称 元件的制备方法、制备的元件、光刻装置以及器件制造方法
摘要 本发明公开了一种用于光刻装置的真空腔的元件的制备方法。该方法包括首先在所述元件上涂覆非金属、非塑料材料,接着处理涂层以固化该涂层。优选的涂覆材料是氢化倍半硅氧烷(HSQ),可以用各种方法(喷射、涂刷、旋布)施加或用电子束加热,或用辐射。在真空环境的条件下,得到的元件极大地减少了水或烃的释气。
申请公布号 CN100495211C 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200410055027.7 申请日期 2004.05.08
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 J·A·A·T·达姆斯;M·克鲁恩;H·-J·沃尔马;C·I·M·A·斯皮
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王波波
主权项 1. 一种制备光刻投影装置的元件的方法,以减少光刻投影装置内的释气,所述方法包括:用一种非金属材料涂覆所述元件的表面,所述材料是氢化倍半硅氧烷(HSQ)或有一个或多个烃族的倍半硅氧烷前体。
地址 荷兰维尔德霍芬