发明名称 液晶装置和电子设备
摘要 本发明提供能够实现高开口率的FFS方式的液晶装置和电子设备。液晶装置具有FFS方式的显示模式,作为其要素的元件基板具备:LTPS型TFT元件和源线,至少设置在源线和LTPS型TFT元件上具有平坦性的第2绝缘膜(平坦化膜),在平坦化膜上被设置成大致整个面状的共用电极,设置在共用电极上的第3绝缘膜(电介质膜),设置在电介质膜上具有多个切槽并且在与共用电极之间经过各个切槽发生边缘场(电场)的像素电极。由此,可以使像素电极、电介质膜和公共电极平坦化。由此,在像素电极和共用电极平面地看重叠的各子像素区域内的电极部分不形成凹凸状的形状(阶梯形状)的部分。由此,能够把像素电极延伸到源线和开关元件附近为止,实现高开口率。
申请公布号 CN101446716A 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200810173913.8 申请日期 2007.01.26
申请人 爱普生映像元器件有限公司 发明人 藤田伸;松岛寿治
分类号 G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 G02F1/1343(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;刘瑞东
主权项 1. 一种液晶装置,其特征在于:具有保持液晶的基板和设置于所述基板并相互平面地看重叠的第1电极以及第2电极,通过在所述第1电极和所述第2电极之间发生的电场控制所述液晶的取向;其中,在所述第2电极上设置有切槽,在所述第2电极的切槽以及切槽之间的区域的大致整个表面通过电介质膜配置所述第1电极,通过所述第1电极、所述电介质膜以及所述第2电极形成辅助电容,所述电介质膜具有使所述辅助电容成为100fF~800fF的厚度。
地址 日本长野县