发明名称 |
具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘 |
摘要 |
一种磁记录盘,其具有一反铁磁耦合(AFC)结构,该结构有一上铁磁层(UL),和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合,因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行,但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。 |
申请公布号 |
CN101447194A |
申请公布日期 |
2009.06.03 |
申请号 |
CN200810171074.6 |
申请日期 |
2004.12.07 |
申请人 |
日立环球储存科技荷兰有限公司 |
发明人 |
霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I;G11B5/64(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
张 波 |
主权项 |
1. 一种磁记录盘,包括:基片;在该基片上的第一下铁磁层,具有剩磁Mr,厚度t和剩磁-厚度积Mrt;在该第一下铁磁层上的铁磁耦合层;在该铁磁耦合层上的第二下铁磁层,有一Mrt;在该第二下铁磁层上的反铁磁耦合层;和在该反铁磁耦合层上的上铁磁层,并且其具有一大于该第一和第二下铁磁层Mrt之和的Mrt。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |