发明名称 具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘
摘要 一种磁记录盘,其具有一反铁磁耦合(AFC)结构,该结构有一上铁磁层(UL),和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合,因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行,但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
申请公布号 CN101447194A 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200810171074.6 申请日期 2004.12.07
申请人 日立环球储存科技荷兰有限公司 发明人 霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽
分类号 G11B5/66(2006.01)I;G11B5/64(2006.01)I 主分类号 G11B5/66(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 张 波
主权项 1. 一种磁记录盘,包括:基片;在该基片上的第一下铁磁层,具有剩磁Mr,厚度t和剩磁-厚度积Mrt;在该第一下铁磁层上的铁磁耦合层;在该铁磁耦合层上的第二下铁磁层,有一Mrt;在该第二下铁磁层上的反铁磁耦合层;和在该反铁磁耦合层上的上铁磁层,并且其具有一大于该第一和第二下铁磁层Mrt之和的Mrt。
地址 荷兰阿姆斯特丹