改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法

摘要

本发明公开了一种改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法，包括：在硅衬底正面涂光学光刻胶，光刻曝光出反光板加强筋图形；刻蚀硅衬底上的反光板加强筋图形；在硅衬底双面生长氮化硅；在硅衬底背面涂光学光刻胶，光刻曝光得到背面腐蚀窗口图形；刻蚀背面腐蚀窗口的氮化硅；在硅衬底正面套版光刻出反光板及回折梁图形，蒸发金属铬层并超声剥离；刻蚀硅衬底正面的氮化硅；去除作为掩蔽层的金属铬，得到反光板和回折梁图形；在硅衬底正面套刻反光板图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；在硅衬底正面套刻回折梁图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；去除反光板和回折梁下方的硅衬底，释放结构。本发明提高了最终的红外成像效果。

主权项

1、一种改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法，其特征在于，该方法包括：在硅衬底正面涂光学光刻胶，光刻曝光出反光板加强筋图形；在光刻胶掩蔽下刻蚀硅衬底上的反光板加强筋图形；在硅衬底双面生长氮化硅；在硅衬底背面涂光学光刻胶，并光刻曝光得到背面腐蚀窗口图形；在光刻胶掩蔽下采用干法反应离子刻蚀工艺刻蚀背面腐蚀窗口的氮化硅；在硅衬底正面套版光刻出反光板及回折梁图形，蒸发金属铬层，并超声剥离；在金属掩蔽下采用干法反应离子刻蚀工艺刻蚀硅衬底正面的氮化硅；去除作为掩蔽层的金属铬，得到氮化硅上的反光板和回折梁图形；在硅衬底正面套刻反光板图形，并在曝光显影后蒸发铬/金，然后超声剥离；在硅衬底正面套刻回折梁图形，并在曝光显影后蒸发铬/金，然后超声剥离；采用湿法腐蚀去除反光板和回折梁下方的硅衬底，释放结构。