制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法

摘要

本发明公开了一种制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和MHEMT源漏，蒸发PIN下电极和MHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和MHEMT源漏金属、欧姆接触合金、MHEMT台面腐蚀隔离、MHEMT栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现了单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管。

主权项

1、一种制作单片集成砷化镓GaAs基应变高电子迁移率晶体管MHEMT和PIN二极管的方法，其特征在于，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和MHEMT源漏，蒸发PIN下电极和MHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和MHEMT源漏金属、欧姆接触合金、MHEMT台面腐蚀隔离、MHEMT栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。